昆明冶金高等专科学校学报 ›› 2010, Vol. 26 ›› Issue (5): 1-5.DOI: 10.3969/j.issn.1009-0479.2010.05.001
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摘要: 制备光纤用GeCl4 需要二项关键技术的支撑,分别是深度脱除GeCl4 中的金属杂质和含氢杂质。深度脱 除金属杂质,国内外厂家已有成熟的技术和工艺设备实现。深度脱除含氢杂质,则是整个光纤用GeCl4 制备工艺 的技术难题。目前,国内缺乏能生产高品质光纤用GeCl4 的技术和厂家,绝大多数光纤用GeCl4 产品依赖国外进 口。因此,研究脱除GeCl4 含氢杂质的工艺技术,对于我国锗产业打破国外技术封锁,提高经济效益和国际竞争 力有着重要意义。以某厂高纯GeCl4 为原料,选择蒸馏工艺进行试验,对GeCl4 中含氢杂质的去除工艺技术进行 研究,为制备高品质光纤用GeCl4 提供技术参考和支持。研究结果表明,共同蒸馏工艺提纯GeCl4 ,可以较好地 除去GeCl4 中的含氢杂质。
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