昆明冶金高等专科学校学报 ›› 2010, Vol. 26 ›› Issue (5): 1-5.DOI: １０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００９－０４７９．２０１０．０５．００１
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摘要： 制备光纤用ＧｅＣｌ４ 需要二项关键技术的支撑，分别是深度脱除ＧｅＣｌ４ 中的金属杂质和含氢杂质。深度脱 除金属杂质，国内外厂家已有成熟的技术和工艺设备实现。深度脱除含氢杂质，则是整个光纤用ＧｅＣｌ４ 制备工艺 的技术难题。目前，国内缺乏能生产高品质光纤用ＧｅＣｌ４ 的技术和厂家，绝大多数光纤用ＧｅＣｌ４ 产品依赖国外进 口。因此，研究脱除ＧｅＣｌ４ 含氢杂质的工艺技术，对于我国锗产业打破国外技术封锁，提高经济效益和国际竞争 力有着重要意义。以某厂高纯ＧｅＣｌ４ 为原料，选择蒸馏工艺进行试验，对ＧｅＣｌ４ 中含氢杂质的去除工艺技术进行 研究，为制备高品质光纤用ＧｅＣｌ４ 提供技术参考和支持。研究结果表明，共同蒸馏工艺提纯ＧｅＣｌ４ ，可以较好地 除去ＧｅＣｌ４ 中的含氢杂质。
中图分类号:
