昆明冶金高等专科学校学报 ›› 2021, Vol. 37 ›› Issue (3): 7-.DOI: 10.3969/j.issn.1009-0479.2021.03.002
李瑛娟,滕 瑜,宋群玲,杨志鸿,蔡川雄,张金梁
LI Yingjuan, TENG Yu, SONG Qunling, YANG ZhihongCAI Chuanxiong,ZHANG Jinliang
摘要: 典型的压电材料Pb(Zr0.52,Ti0.48)O3因其优异的性能,可用来制备各种类型的压电器件,一直受到许多研究者的关注。采用 PLD 法在 SrTiO3(100) 单晶衬底上制备出了不同组分的 PZT 薄膜,讨论了不同激光能量和Zr/Ti比对Pb(Zr0.52,Ti0.48)O3薄膜结晶质量的影响,得出最佳生长 PZT 薄膜的条件,并分析其 (002) 摇摆曲线结果显示: (Zr0.52,Ti0.48)O3; 薄膜表面比较均匀,均方根粗度较小,体现出较好的结晶质量。最后根据谢乐公式可得出其所制备的薄膜晶粒尺寸在2~6 nm 范围内,可以用于器件制作。
中图分类号: